An approach to lifetime estimation of SiC MOSFETs subjected to thermal stress

  • R. ten Have

Scriptie/Masterproef: Master

Samenvatting

Datum prijs30 nov 2014
Originele taalEngels
BegeleiderJorge L. Duarte (Afstudeerdocent 1), Bas J.D. Vermulst (Afstudeerdocent 2) & Jeroen van Duivenbode (Externe coach)

Citeer dit

An approach to lifetime estimation of SiC MOSFETs subjected to thermal stress
ten Have, R. (Auteur). 30 nov 2014

Scriptie/Masterproef: Master