Voltage-gated pinning in a magnetic domain-wall conduit

J.H. Franken, Y. Yin, A.J. Schellekens, A. Brink, van den, H.J.M. Swagten, B. Koopmans

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

15 Citaten (Scopus)
159 Downloads (Pure)


In spintronic devices relying on magnetic domain-wall (DW) motion, robust control over the DW position is required. We use electric-field control of perpendicular magnetic anisotropy to create a voltage-gated pinning site in a microstructured Pt/Co/AlOx DW conduit. A DW pins at the edge of a gate electrode, and the strength of pinning can be tuned linearly and reversibly with an efficiency of 0.22(1) mT/V. This result is supported by a micromagnetic model, taking full account of the anisotropy step at the gate edge, which is directly caused by a change in the electron density due to the choice of material.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)102411-1/5
Aantal pagina's5
TijdschriftApplied Physics Letters
Nummer van het tijdschrift10
StatusGepubliceerd - 2014


Duik in de onderzoeksthema's van 'Voltage-gated pinning in a magnetic domain-wall conduit'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit