Very low surface recombination velocities on p- and n-type c-Si by ultrafast spatial atomic layer deposition of aluminum oxide

F. Werner, B. Veith, M.V. Tiba, P. Poodt, F. Roozeboom, R. Brendel, J. Schmidt

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

76 Citaten (Scopus)
188 Downloads (Pure)

Samenvatting

Using aluminum oxide (Al2O3) films deposited by high-rate spatial atomic layer deposition (ALD), we achieve very low surface recombination velocities of 6.5 cm/s on p-type and 8.1 cm/s on n-type crystalline silicon wafers. Using spatially separated reaction zones instead of the conventional time-sequenced precursor dosing enables growth rates up to 70 nm/min, whereas conventional ALD limits the growth rate to
Originele taal-2Engels
Artikelnummer162103
Pagina's (van-tot)162103-1/3
TijdschriftApplied Physics Letters
Volume97
Nummer van het tijdschrift16
DOI's
StatusGepubliceerd - 2010

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Very low surface recombination velocities on p- and n-type c-Si by ultrafast spatial atomic layer deposition of aluminum oxide'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit