Ultra-low surface recombination for deeply etched III-V semiconductor nano-cavity lasers

A. Higuera Rodriguez, B.M. Patarata Romeira, S. Birindelli, L.E. Black, E. Smalbrugge, W.M.M. Kessels, M.K. Smit, A. Fiore

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

194 Downloads (Pure)

Samenvatting

We investigated the passivation of III-V nanostructures using ammonium sulfide and SiOx encapsulation. We achieved ultra-low surface recombination velocity of 530 cm/s enabling the future development of high-performance room-temperature nanolasers.
Originele taal-2Engels
TitelProceedings Advanced Photonics 2016 (IPR, NOMA, Sensors, Networks, SPPCom, SOF)
Plaats van productieWashington
UitgeverijOSA Publishing
Aantal pagina's3
ISBN van elektronische versie978-1-943580-14-9
DOI's
StatusGepubliceerd - 2016
EvenementAdvanced Photonics Congress 2016 (IPR, NOMA, Sensors, Networks, SPPCom, SOF) © OSA 2016 - Canada, Vancouver, Canada
Duur: 18 jul 201620 jul 2016

Congres

CongresAdvanced Photonics Congress 2016 (IPR, NOMA, Sensors, Networks, SPPCom, SOF) © OSA 2016
LandCanada
StadVancouver
Periode18/07/1620/07/16

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Ultra-low surface recombination for deeply etched III-V semiconductor nano-cavity lasers'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit