The physical properties of grown p-i-n junctions in silicon carbide

C.A.A.J. Greebe

Onderzoeksoutput: ScriptieDissertatie 1 (Onderzoek TU/e / Promotie TU/e)

353 Downloads (Pure)
Originele taal-2Engels
KwalificatieDoctor in de Filosofie
Toekennende instantie
  • Applied Physics
Begeleider(s)/adviseur
  • Diemer, G., Promotor
Datum van toekenning29 jun 1962
Plaats van publicatieEindhoven
Uitgever
DOI's
StatusGepubliceerd - 1962

Bibliografische nota

Proefschrift.

Citeer dit