The DX-level in silicon delta-doped GaAs and AlGaAs (chapter 13)

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureHoofdstukAcademic

Samenvatting

No abstract.
Originele taal-2Engels
TitelDelta Doping of Semiconductors
Plaats van productieCambridge University Press
UitgeverijE.F.Schubert, AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, N.J., USA
Pagina's304-317
StatusGepubliceerd - 1996

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'The DX-level in silicon delta-doped GaAs and AlGaAs (chapter 13)'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit