Tensile-strained GeSn photodetectors with conformal nitride stressor

M. Morea, K. Zang, C.S. Fenrich, Y.-C. Huang, H. Chung, A.G. Curto, Y. Huo, T.I. Kamins, M.L. Brongersma, J.S. Harris

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

3 Citaten (Scopus)

Samenvatting

Applying tensile strain with silicon nitride is demonstrated to improve the responsivity of germanium-tin (Ge1-xSnx) PIN photodetectors at longer wavelengths. Such external stressor films show promise for extending the application of Ge1-xSnx optoelectronic devices into the mid-infrared range.
Originele taal-2Engels
Titel2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM), 1-13 July 2016, Newport Beach, California
Plaats van productiePiscataway
UitgeverijInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Pagina's21-22
Aantal pagina's2
ISBN van elektronische versie978-1-5090-1900-7
ISBN van geprinte versie978-1-5090-1901-4
DOI's
StatusGepubliceerd - 2016
Evenement2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM 2016) - Newport Beach Marriott Hotel, Newport Beach, Verenigde Staten van Amerika
Duur: 11 jul 201613 jul 2016
http://www.photonicsconferences.org/conferences/welcome?id=357845c5e1df934a7bb02ae890b5c481

Congres

Congres2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM 2016)
Verkorte titelSUM 2016
Land/RegioVerenigde Staten van Amerika
StadNewport Beach
Periode11/07/1613/07/16
Internet adres

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Tensile-strained GeSn photodetectors with conformal nitride stressor'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit