Technology of the diode programmable read only memory

H. Lifka, P. H. Woerlee, C. De Graaf, C. M. Hart, P. J.M. Janssen, G. M. Paulzen, M. J.J. Theunissen, P. W.H. De Vreede

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

1 Citaat (Scopus)

Samenvatting

In this paper the key technology steps of the Diode Programmable Read Only Memory (DPROM) will be presented. The device performance of the high voltage transistors used in DPROM are presented. The influence of trench processing on devices will be shown. Also parasitic devices, formed due to the usage of trench poly, and there suppression will be shown.

Originele taal-2Engels
TitelEuropean Solid-State Device Research Conference
RedacteurenH. Grunbacher
UitgeverijIEEE Computer Society
Pagina's272-275
Aantal pagina's4
ISBN van geprinte versie2863322214
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 jan 1997
Extern gepubliceerdJa
Evenement27th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 1997 - Stuttgart, Duitsland
Duur: 22 sep 199724 sep 1997

Congres

Congres27th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 1997
Land/RegioDuitsland
StadStuttgart
Periode22/09/9724/09/97

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Technology of the diode programmable read only memory'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit