Study of the reduced indium oxide (In2O3)/mc-silicon:hydrogen interface by means of factor analysis

J.M.M. Nijs, de, R.G.K.M. Aarts

    Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

    13 Citaten (Scopus)
    2 Downloads (Pure)

    Samenvatting

    The overgrowth of an In2O3 layer by a µc-Si:H layer, deposited by means of plasma-enhanced chemical vapour deposition, will inflict the reduction of the In2O3. AES is combination with Ar+ depth profiling is used for the study of the interfacial deterioration that takes place. The results of a factor analysis study after reduction of the In2O3 are presented.
    Originele taal-2Engels
    Pagina's (van-tot)628-634
    TijdschriftSurface and Interface Analysis
    Volume17
    Nummer van het tijdschrift9
    DOI's
    StatusGepubliceerd - 1991

    Vingerafdruk

    Duik in de onderzoeksthema's van 'Study of the reduced indium oxide (In2O3)/mc-silicon:hydrogen interface by means of factor analysis'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

    Citeer dit