Studies into the growth mechanism of a-Si:H using in situ cavity ring-down techniques

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureHoofdstukAcademicpeer review

1 Citaat (Scopus)
Originele taal-2Engels
TitelCavity Ring-Down spectroscopy: techniques and applications
RedacteurenG. Berden, R. Engeln
Plaats van productieChichester
UitgeverijWiley
Pagina's237-271
ISBN van elektronische versie9781444308259
ISBN van geprinte versie978-1-4051-7688-0
DOI's
StatusGepubliceerd - 2009

Citeer dit

Sanden, van de, M. C. M., Aarts, I. M. P., Hoefnagels, J. P. M., Hoex, B., Engeln, R. A. H., & Kessels, W. M. M. (2009). Studies into the growth mechanism of a-Si:H using in situ cavity ring-down techniques. In G. Berden, & R. Engeln (editors), Cavity Ring-Down spectroscopy: techniques and applications (blz. 237-271). Chichester: Wiley. https://doi.org/10.1002/9781444308259.ch9