Size, strain and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3 – 1.55 μm emitters

J.M. Ulloa, M. Moral, del, M. Montes, M. Bozkurt, P.M. Koenraad, A. Guzman, A. Hierro

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademic

1 Citaat (Scopus)

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Size, strain and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3 – 1.55 μm emitters'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Fysica en Astronomie