Single mode performance and structural quality of MOVPE grown InP based quantum cascade lasers

R.P. Green, L.R. Wilson, D.G. Revin, E.A. Zibik, J.W. Cockburn, P. Offermans, P.M. Koenraad, J.H. Wolter, C. Pflügl, W. Schrenk, G. Strasser, C.M. Tey, A.B. Krysa, J.S. Roberts, A.G. Cullis

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

Samenvatting

We report single longitudinal mode, P 300K operation of MOVPE-grown InGaAs/ AIInAs DFB quantum cascade lasers. Structural investigation indicates the epitaxial quality of the active region to be equivalent to high performing MBE grown structures.
Originele taal-2Engels
TitelProceedings of the 2005 International Conference on Indium Phosphate and Related Materials IEEE, 8-12 May 2005, Glasgow, United Kingdom
Plaats van productiePiscataway, NJ, USA
UitgeverijInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Pagina's64-67
ISBN van geprinte versie0780388917
StatusGepubliceerd - 2005

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Single mode performance and structural quality of MOVPE grown InP based quantum cascade lasers'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit