Doorgaan naar hoofdnavigatie Doorgaan naar zoeken Ga verder naar hoofdinhoud

Silicon Nitride Metalenses at Near-Infrared Wavelengths Manufactured Using Deep-Ultraviolet Scanner Lithography

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

195 Downloads (Pure)

Samenvatting

We present the Si3N4 metalenses fabricated on an InP wafer using deep-ultraviolet scanner lithography which is suitable for high-volume manufacturing. Despite limiting the pillar height to 750 nm, preventing full phase coverage, we demonstrate diffraction-limited focusing in the near-infrared regime. Furthermore, we showcase an achromatic metalens design that successfully reduces chromatic aberration by 40%. These achievements propose a promising alternative for mass-producing metalenses relevant to various applications such as optical sensing.
Originele taal-2Engels
TitelThe 25th European Conference on Integrated Optics
SubtitelProceedings of ECIO 2024, June 17–19, Aachen, Germany
RedacteurenJeremy Witzens, Joyce Poon, Lars Zimmermann, Wolfgang Freude
Plaats van productieCham
UitgeverijSpringer
Pagina's315-322
Aantal pagina's8
ISBN van elektronische versie978-3-031-63378-2
ISBN van geprinte versie978-3-031-63377-5, 978-3-031-63380-5
DOI's
StatusGepubliceerd - 16 jun. 2024
Evenement25th European Conference on Integrated Optics, ECIO 2024 - Aachen, Duitsland
Duur: 17 jun. 202419 jun. 2024

Publicatie series

NaamSpringer Proceedings in Physics
Volume402
ISSN van geprinte versie0930-8989
ISSN van elektronische versie1867-4941

Congres

Congres25th European Conference on Integrated Optics, ECIO 2024
Land/RegioDuitsland
StadAachen
Periode17/06/2419/06/24

Financiering

FinanciersFinanciernummer
Nederlandse Organisatie voor Wetenschappelijk Onderzoek17971

    Vingerafdruk

    Duik in de onderzoeksthema's van 'Silicon Nitride Metalenses at Near-Infrared Wavelengths Manufactured Using Deep-Ultraviolet Scanner Lithography'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

    Citeer dit