Shape transition of coherent three-dimensional (In, Ga)As islands on GaAs(100)

Wenquan Ma, R. Nötzel, H.-P. Schönherr, K. Ploog

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

50 Citaten (Scopus)
288 Downloads (Pure)


The shape transition of coherent three-dimensional (3D) islands is observed experimentally in the (In,Ga)As/GaAs(100) material system. In the molecular-beam epitaxy of a 1.8-nm-thick In0.35Ga0.65As single layer, we find that the shape of the coherent 3D islands transforms from round to elongated when increasing the growth temperature. A quantitative agreement of our experimental data with the theoretical work of Tersoff and Tromp is achieved. ©2001 American Institute of Physics.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)4219-4221
TijdschriftApplied Physics Letters
Nummer van het tijdschrift25
StatusGepubliceerd - 2001


Duik in de onderzoeksthema's van 'Shape transition of coherent three-dimensional (In, Ga)As islands on GaAs(100)'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit