Self-assembled germanium-dot multilayers embedded in silicon

G. Bauer, A.A. Darhuber, V. Holy

    Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

    7 Citaten (Scopus)

    Samenvatting

    We report mainly on structural investigations on nanoscale Ge rich islands, the growth of which is driven by misfit strain (Stranski-Krastanow growth mode). Results of several methods, i.e. atomic force microscopy, transmission electron microscopy, and mainly x-ray diffraction and x-ray reflectivity measurements are presented and discussed.
    Originele taal-2Engels
    Pagina's (van-tot)197-209
    TijdschriftCrystal Research and Technology
    Volume34
    Nummer van het tijdschrift2
    DOI's
    StatusGepubliceerd - 1999

    Vingerafdruk

    Duik in de onderzoeksthema's van 'Self-assembled germanium-dot multilayers embedded in silicon'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

    Citeer dit