Role of a-Si:H bulk in surface passivation on c-Si wafers

A. Illiberi, K. Sharma, M. Creatore, M.C.M. Sanden, van de

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

12 Citaten (Scopus)


The low thermal stability of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films limits their widespread use for surface passivation of c-Si wafers on the rear side of solar cells. We show that the thermal stability of a-Si:H surface passivation is increased significantly by a hydrogen rich a-Si:H bulk, which acts as a hydrogen reservoir for the a-Si:H/c-Si interface. Based on this mechanism, an excellent lifetime of 5.1 ms (at injection level of 1015 cm-3) is achieved after annealing at 450 °C for 10 min.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)172-174
Aantal pagina's3
TijdschriftPhysica Status Solidi : Rapid Research Letters
Nummer van het tijdschrift7
StatusGepubliceerd - 2010

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Role of a-Si:H bulk in surface passivation on c-Si wafers'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit