RF-distortion in deep-submicron CMOS technologies

R. Van Langevelde, L. F. Tiemeijer, R. J. Havens, M. J. Knitel, R. F.M. Roes, P. H. Woerlee, D. B.M. Klaassen

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

61 Citaten (Scopus)

Samenvatting

The distortion behaviour of MOSFETs is important for RF-applications. In this paper the influence of technology variations (oxide thickness, substrate doping,...) on distortion is investigated using measurements and a recently developed compact MOSFET model. The influence on distortion of technology scaling down to 0.18μm is verified and further scaling according to the ITRS-roadmap is predicted.

Originele taal-2Engels
Titel2000 IEEE International Electron Devices Meeting
Plaats van productiePiscataway
UitgeverijInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Pagina's807-810
Aantal pagina's4
ISBN van geprinte versie0-7803-6438-4
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 dec 2000
Extern gepubliceerdJa
Evenement2000 IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, Verenigde Staten van Amerika
Duur: 10 dec 200013 dec 2000

Congres

Congres2000 IEEE International Electron Devices Meeting
Land/RegioVerenigde Staten van Amerika
StadSan Francisco, CA
Periode10/12/0013/12/00

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'RF-distortion in deep-submicron CMOS technologies'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit