Progress in reactive ion etching of epitaxial GaN

F. Karouta, P. Vreugdewater, B. Jacobs, B.H. Roy, van, O. Schön, H. Protzmann, M. Heuken

Onderzoeksoutput: Niet-tekstuele vormcomputerprogramma softwareProfessioneel

Originele taal-2Engels
UitgeverTechnische Universiteit Eindhoven
StatusGepubliceerd - 1998

Citeer dit

Karouta, F. (Auteur), Vreugdewater, P. (Auteur), Jacobs, B. (Auteur), Roy, van, B. H. (Auteur), Schön, O. (Auteur), Protzmann, H. (Auteur), & Heuken, M. (Auteur). (1998). Progress in reactive ion etching of epitaxial GaN. computerprogramma software, Technische Universiteit Eindhoven.