Post-growth enhancement of p-GaN conductivity

F. Karouta, M.J. Kappers, M.C.J.C.M. Krämer, B. Jacobs

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

Samenvatting

The paper reports on the investigation an improvement of the p-type conductivity of Mg-doped GaN by creating Ga-vacancies in the lattice.
Originele taal-2Engels
Titel17th Annual Meeting of the IEEELasers and Electro-Optics Society, 2004. LEOS 2004
Plaats van productiePiscataway
UitgeverijInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Pagina's284-285
Volume1
ISBN van geprinte versie0780385578
DOI's
StatusGepubliceerd - 2004
Evenement17th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS 2004) - Rio Grande, Puerto Rico
Duur: 7 nov 200411 nov 2004
Congresnummer: 17

Congres

Congres17th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS 2004)
Verkorte titelLEOS 2004
LandPuerto Rico
StadRio Grande
Periode7/11/0411/11/04
Ander17th IEEE/LEOS 2004 Meeting

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Post-growth enhancement of p-GaN conductivity'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit