Novel semiconductor nanostructures by functional self-organized epitaxy

K. Ploog, R. Nötzel

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

4 Citaten (Scopus)


We review our recent results on GaAs sidewall quantum wires, quantum dots and coupled wire–dot arrays fabricated by functional selforganized epitaxy on patterned GaAs(3 1 1)A. The distinct selectivity of (Al,Ga)As growth on patterned GaAs(3 1 1)A allows for strong lateral confinement of photogenerated carriers up to room temperature. Quasi-planar arrays of these semiconductor nanostructures are of unprecedented uniformity, and they can be positioned on the wafer with high accuracy.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)78-88
TijdschriftPhysica E: Low-Dimensional Systems & Nanostructures
Nummer van het tijdschrift2-3
StatusGepubliceerd - 2001


Duik in de onderzoeksthema's van 'Novel semiconductor nanostructures by functional self-organized epitaxy'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit