MM20 HVMOS Model : a surface-potential-based LDMOS model for circuit simulation (Chapter 3)

A.C.T. Aarts, A. Tajic

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureHoofdstukAcademic

2 Citaten (Scopus)

Samenvatting

MOS Model 20 is an advanced public-domain compact LDMOS model, to be used for circuit simulation of high-voltage IC-designs. By combining the description of the MOSFET channel region with that for the drift region of an LDMOS device, MOS Model 20 includes all specific high-voltage aspects into one model. This chapter presents the physical background of the model, the model parameter extraction strategy, and ends with the verification in comparison to dc- and ac-measurements.
Originele taal-2Engels
TitelPower/HVMOS Devices Compact Modeling
RedacteurenW. Grabinski, T. Gneiting
Plaats van productieDordrecht
UitgeverijSpringer
Pagina's65-93
ISBN van geprinte versie978-90-481-3045-0
DOI's
StatusGepubliceerd - 2010

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'MM20 HVMOS Model : a surface-potential-based LDMOS model for circuit simulation (Chapter 3)'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit