Metal oxide gate electrodes for advanced CMOS technology

K. Fröhlich, K. Hušeková, Z. Oszi, J.C. Hooker, M. Fanciulli, C. Wiemer, A. Dimoulas, G. Vellianitis, F. Roozeboom

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

6 Citaten (Scopus)

Samenvatting

We have prepared RuO2 and SrRuO3 thin films for application as gate electrodes in CMOS technology. RuO2 and SrRuO3 films exhibit satisfactory stability in oxygen atmosphere at elevated temperatures. RuO2 films decompose in reducing atmosphere. Extracted work function values for RuO2 electrode are around 5.1 eV, confirming that RuO2 is a suitable candidate for pMOS gate electrode application.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)31-34
Aantal pagina's4
TijdschriftAnnalen der Physik
Volume13
Nummer van het tijdschrift1-2
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 jan 2004
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Metal oxide gate electrodes for advanced CMOS technology'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit