Samenvatting
A high-speed, high-gain enhancement-mode ion-gated transistor shows promise for low-power chronically implanted bioelectronic systems.
Originele taal-2 | Engels |
---|---|
Pagina's (van-tot) | 584-586 |
Aantal pagina's | 3 |
Tijdschrift | Nature Materials |
Volume | 19 |
Nummer van het tijdschrift | 6 |
DOI's |
|
Status | Gepubliceerd - 1 jun. 2020 |