Low resistive, ohmic contacts to indium tin oxide

C. H.L. Weijtens, P. A.C. van Loon

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

10 Citaten (Scopus)

Samenvatting

TiW and TiW(N) have been employed as barrier layers to obtain low resistive, ohmic contacts between ITO and Al or Al/Si. A specific contact resistance of 1.5 · 10−6 Ω-cm2 has been obtained after alloying at 450° or 500°C in N2/20% H2.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)3928-3930
Aantal pagina's3
TijdschriftJournal of the Electrochemical Society
Volume137
Nummer van het tijdschrift12
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 jan 1990
Extern gepubliceerdJa

    Vingerafdruk

Citeer dit