Low absorption InP/InGaAs-MQW phase shifters for optical switching

C.G.M. Vreeburg, M.K. Smit, M. Bachmann, R. Kyburz, R. Krähenbühl, E. Gini, H. Melchior

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademic

43 Downloads (Pure)

Samenvatting

InP/InGaAs-MQW phase shifters with low absorption loss and low electroabsorption loss have been realized. Phase shift efficiency for TE-polarized light at lambda =1.55 mu m was 6.8 degrees V/sup -1/ mm/sup -1/ with negligible absorption loss and at lambda =1.51 mu m the efficiency was 8.9 degrees V/sup -1/ mm/sup -1/ with 5 dB/cm absorption loss
Originele taal-2Engels
Titel7th European Conference on Integrated Optics with Technical Exhibition : ECIO '95 : Regular and Invited Papers
RedacteurenL. Shi, L.H. Spiekman, X.J.M. Leijtens
Plaats van productieDelft, Netherlands
UitgeverijDelft University Press
Pagina's225-228
ISBN van geprinte versie90-407-1111-9
StatusGepubliceerd - 1995

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Low absorption InP/InGaAs-MQW phase shifters for optical switching'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit