InGaAs-AlAsSb quantum cascade lasers emitting at 4.4 μm

D.G. Revin, L.R. Wilson, E.A. Zibik, R.P. Green, J.W. Cockburn, M.J. Steer, R.J. Airey, M. Hopkinson, P. Offermans, P.M. Koenraad, J.H. Wolter

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

Samenvatting

We report the first realization of 1no53Ga0.47As/AlAs056 Sbo.44 quantum cascade lasers grown on InP substrates. Stable optical and electrical characteristics as well as good structural quality of epitaxial layers demonstrate the significant potencial of this system. ©2005 Optical Society of America
Originele taal-2Engels
TitelProc. Int. Conference-on-Lasers-and-Electro-Optics-CLEO-IEEE (May 22-27, 2005)
StatusGepubliceerd - 2005
Evenement2005 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO® 2005) - Baltimore, Verenigde Staten van Amerika
Duur: 22 mei 200527 mei 2005

Congres

Congres2005 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO® 2005)
Verkorte titelCLEO® 2005
LandVerenigde Staten van Amerika
StadBaltimore
Periode22/05/0527/05/05
AnderProc. Int. Conference-on-Lasers-and-Electro-Optics

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'InGaAs-AlAsSb quantum cascade lasers emitting at 4.4 μm'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit