InGaAs-AlAsSb quantum cascade lasers emitting at 4.4 µm

D.G. Revin, L.R. Wilson, E.A. Zibik, R.P. Green, J.W. Cockburn, M.J. Steer, R.J. Airey, M. Hopkinson, P. Offermans, P.M. Koenraad, J.H. Wolter

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

Samenvatting

We report the first realization of In0.53Ga0.47 As/AlAs0.56Sb0.44 quantum cascade lasers grown on InP substrates. Stable optical and electrical characteristics as well as good structural quality of epitaxial layers demonstrate the significant potential of this system
Originele taal-2Engels
Titel2005 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) : May 22 - 27, 2005, Baltimore, MD : vol. 1
Plaats van productiePiscataway
UitgeverijInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Pagina's248-250
ISBN van geprinte versie1-55752-795-4
DOI's
StatusGepubliceerd - 2009
Evenement2005 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO® 2005) - Baltimore, Verenigde Staten van Amerika
Duur: 22 mei 200527 mei 2005

Congres

Congres2005 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO® 2005)
Verkorte titelCLEO® 2005
LandVerenigde Staten van Amerika
StadBaltimore
Periode22/05/0527/05/05
AnderProc. Int. Conference-on-Lasers-and-Electro-Optics

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'InGaAs-AlAsSb quantum cascade lasers emitting at 4.4 µm'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit