Influence of the deposition and anneal temperature on the electrical properties of indium tin oxide

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

33 Citaten (Scopus)

Samenvatting

The effect of the deposition temperature and the temperature during rapid thermal annealing on the electrical properties of reactive-magnetron-sputtered indium tin oxide (ITO) layers is described. The relations observed are explained in terms of the defect chemistry of ITO.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)3432-3434
Aantal pagina's3
TijdschriftJournal of the Electrochemical Society
Volume138
Nummer van het tijdschrift11
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 jan 1991
Extern gepubliceerdJa

    Vingerafdruk

Citeer dit