Doorgaan naar hoofdnavigatie Doorgaan naar zoeken Ga verder naar hoofdinhoud

Indium phosphide membrane nanophotonic integrated circuits on silicon

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschrift › Tijdschriftartikel › Academic › peer review

1003 Downloads (Pure)

Samenvatting

Photonic integration in a micrometer-thick indium phosphide (InP) membrane on silicon (IMOS) offers intrinsic and high-performance optoelectronic functions together with high-index-contrast nanophotonic circuitries. Recently demonstrated devices have shown competitive performances, including high side-mode-suppression ratio (SMSR) lasers, ultrafast photodiodes, and significant improvement in critical dimensions. Applications of the IMOS devices and circuits in optical wireless, quantum photonics, and optical cross-connects have proven their performances and high potential.

Originele taal-2Engels
Artikelnummer1900606
Aantal pagina's12
TijdschriftPhysica Status Solidi A : Applications and material science
Volume217
Nummer van het tijdschrift3
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 feb 2020

Financiering

This work was supported in part by the ERC Advanced Grant NOLIMITS, the ERC Proof‐of‐Concept Grant IMOS4ALL and the Dutch NWO Grant Zwaartekracht. The use of the cleanroom facilities at the Nanolab@TU/e is acknowledged.

FinanciersFinanciernummer
European Union’s Horizon Europe research and innovation programme862517
European Union’s Horizon Europe research and innovation programmeIMOS4ALL
Nederlandse Organisatie voor Wetenschappelijk Onderzoek

    Vingerafdruk

    Duik in de onderzoeksthema's van 'Indium phosphide membrane nanophotonic integrated circuits on silicon'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

    Citeer dit