Highly chemical reactive ion etching of GaN and its influence on Schottky contacts

F. Karouta, B. Jacobs, I. Moerman, K. Jacobs, J.L. Weyher, S. Porowski, R. Crane, P.R. Hageman

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

Originele taal-2Engels
TitelMaterials Research Society fall Meeting, Symposium W, Paper # W11.76
StatusGepubliceerd - 1999
EvenementGaN and Related Alloys, November 28-December 3, 1999, Boston, MA, USA - Boston, MA, Verenigde Staten van Amerika
Duur: 29 nov 19993 dec 1999
http://www.mrs.org/f99-program-w/

Congres

CongresGaN and Related Alloys, November 28-December 3, 1999, Boston, MA, USA
Land/RegioVerenigde Staten van Amerika
StadBoston, MA
Periode29/11/993/12/99
AnderMaterials Research Society Fall Meeting 1999, Boston
Internet adres

Citeer dit