High-performance solution-processed polymer ferroelectric field-effect transistors

Ronald C.G. Naber, Cristina Tanase, Paul W.M. Blom, Gerwin H. Gelinck, Albert W. Marsman, Fred J. Touwslager, Sepas Setayesh, Dago M. De Leeuw

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

783 Citaten (Scopus)

Samenvatting

A rewritable, non-volatile ferroelectric field effect transistor (FeFET) memory device made with a ferroelectric fluoropolymer and a bisalkoxy- substituted poly(p-phenylene vinylene) semiconductor material is described. The ferroelectric semiconductor interfaces extends the attainable field effect bending in organic semiconductors. The organic FET are suited for low cost, low-performance logic circuit applications on flexible substrates. The polymer FeFET have a remanent on/off ratio of several orders of magnitude at zero gate bias, a long data retention time, a high programming cycle endurance, and a short programming time.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)243-248
Aantal pagina's6
TijdschriftNature Materials
Volume4
Nummer van het tijdschrift3
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 jan 2005
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'High-performance solution-processed polymer ferroelectric field-effect transistors'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit