Fractional quantum Hall effect in MOCVD-grown gallium arsenide/aluminum gallium arsenide heterostructures at pulsed high magnetic fields

R.E. Horstman, E.J. Broek, Van den, J. Wolter, A.P.J. Deursen, van, J.P. Andre

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

2 Citaten (Scopus)

Samenvatting

The fractional quantum Hall effect in GaAs/(Ga,Al)As heterojunctions grown by metalorg. chem. vapor deposition was measurement in pulsed magnetic fields up to 31 T. The results suggest an equil. localized and nonlocalized electron systems.
Originele taal-2Engels
TitelProceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors. San Francisco, CA, USA. IUPAP. Int. Center Theor. Phys. AIP. APS. American Vacuum Soc. et al. 6-10 Aug. 1984
RedacteurenJ.D. Chadi, W.A. Harrison
Plaats van productieNew York
UitgeverijSpringer
Pagina's295-298
ISBN van geprinte versie0387961089, 9780387961088
StatusGepubliceerd - 1985

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Fractional quantum Hall effect in MOCVD-grown gallium arsenide/aluminum gallium arsenide heterostructures at pulsed high magnetic fields'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit