Flexible NAND-like organic ferroelectric memory array

B. Kam, T.H. Ke, A. Chasin, M. Tyagi, C. Cristoferi, K. Tempelaars, A.J.J.M. van Breemen, K. Myny, S. Schols, J. Genoe, G.H. Gelinck, P. Heremans

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

18 Citaten (Scopus)


We present a memory array of organic ferroelectric field-effect transistors (OFeFETs) on flexible substrates. The OFeFETs are connected serially, similar to the NAND architecture of flash memory, which offers the highest memory density of transistor memories. We demonstrate a reliable addressing scheme in this architecture, without the need for select or access transistors. As proof of principle, a 1 x 4 NAND-like string is fabricated and characterized. Retention up to one month and endurance up to 2500 cycles are shown. Read and write disturb measurements show that the memory array can potentially be scaled up to 8 kbits.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)539-541
Aantal pagina's3
TijdschriftIEEE Electron Device Letters
Nummer van het tijdschrift5
StatusGepubliceerd - 2014
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Flexible NAND-like organic ferroelectric memory array'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit