Evidence of hafnia oxygen vacancy defects in MOCVD grown HfxSi1−xOy ultrathin gate dielectrics gated with Ru electrode

M. Tapajna, A. Rosova, K. Husekova, F. Roozeboom, E. Dobrocka, K. Frohlich

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

6 Citaten (Scopus)

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Evidence of hafnia oxygen vacancy defects in MOCVD grown HfxSi1−xOy ultrathin gate dielectrics gated with Ru electrode'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Material Science