Electron paramagnetic resonance knight shift in semimagnetic (diluted magnetic) semiconductors

T. Story, C.H.W. Swüste, P.J.T. Eggenkamp, H.J.M. Swagten, W.J.M. Jonge, de

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

47 Citaten (Scopus)
180 Downloads (Pure)


The effect of the carrier concentration induced shift of the g factor (the Knight shift) of the Mn2+ magnetic moment in PbTe and SnTe semiconducting matrices is experimentally observed and is of different sign for n- and for p-type crystals. The analysis of this effect allows for a straightforward determination of both the sign and the magnitude of the free carrier–local moment exchange integrals for holes and electrons in PbTe, as well as for light and heavy holes in SnTe.
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)2802-2805
Aantal pagina's4
TijdschriftPhysical Review Letters
Nummer van het tijdschrift13
StatusGepubliceerd - 1996

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Electron paramagnetic resonance knight shift in semimagnetic (diluted magnetic) semiconductors'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit