Electron mobility in Si delta doped GaAs

P. M. Koenraad, A.F.W. van de Stadt, J. M. Shi, G. Q. Hai, N. Studart, P. Vansant, F. M. Peeters, J. T. Devreese, J.A.A.J. Perenboom, J. H. Wolter

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

8 Citaten (Scopus)

Samenvatting

We have measured the transport and quantum mobility in Si delta doped samples as a function of the doping concentration and the thickness of the doping layer. The results are compared with mobility calculations which show that the ionized impurity scattering rate is determined by the fluctuations in the charge distribution of the delta layer instead of the full charge distribution itself.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)462-465
Aantal pagina's4
TijdschriftPhysica B: Physics of Condensed Matter
Volume211
Nummer van het tijdschrift1-4
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 mei 1995

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Electron mobility in Si delta doped GaAs'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit