Doping fin field-effect transistor sidewalls : impurity dose retention in silicon due to high angle incident ion implants and the impact on device performance

R. Duffy, G. Curatola, B.J. Pawlak, G. Doornbos, K. Tak, van der, P. Breimer, J.G.M. Berkum, van, F. Roozeboom

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

38 Citaten (Scopus)
242 Downloads (Pure)

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Doping fin field-effect transistor sidewalls : impurity dose retention in silicon due to high angle incident ion implants and the impact on device performance'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Engineering en materiaalwetenschappen

Fysica en Astronomie