Design of InGaAs/InP quantum wells for applications at 1550 nm : a realistic quantum well model including interface layers

B.H.P. Dorren, A.Y. Silov, M.R. Leijs, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

1 Downloads (Pure)
Originele taal-2Engels
TitelProc. 3rd Annual Symposium of the IEEE/LEOS Benelux Chapter, INTEC, Gent, Belgium, 26 November 1998
RedacteurenP. Demeester, R. Baets, A. Ackaert, V. Masquelin
Plaats van productieGent
UitgeverijUniversity of Gent
Pagina's133-136
ISBN van geprinte versie90-76546-01-0
StatusGepubliceerd - 1998

Citeer dit

Dorren, B. H. P., Silov, A. Y., Leijs, M. R., Haverkort, J. E. M., & Wolter, J. H. (1998). Design of InGaAs/InP quantum wells for applications at 1550 nm : a realistic quantum well model including interface layers. In P. Demeester, R. Baets, A. Ackaert, & V. Masquelin (editors), Proc. 3rd Annual Symposium of the IEEE/LEOS Benelux Chapter, INTEC, Gent, Belgium, 26 November 1998 (blz. 133-136). University of Gent.