Combined impurity gettering and defect passivation in polycrystalline silicon solar cells

L.A. Verhoef, P.P. Michiels, W.C. Sinke, C.M.M. Denisse, M. Hendriks, R.J.C. van Zolingen

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

12 Citaten (Scopus)

Samenvatting

Polycrystalline silicon wafers have been subjected to annealing (700°C, 1 h) and to a hydrogen plasma (350°C, 30 min) during the processing of solar cells. The annealing treatment enhances the bulk minority-carrier recombination lifetime by 19%, presumably by impurity gettering. The plasma treatment improves the lifetime by 26%; hydrogen passivation accounts for at least 2/3 of this improvement. Gettering and passivation are found to be complementary: application of both treatments results in a 43% increase in lifetime compared to standard.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)2704-2706
Aantal pagina's3
TijdschriftApplied Physics Letters
Volume57
Nummer van het tijdschrift25
DOI's
StatusGepubliceerd - 1 dec 1990
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Combined impurity gettering and defect passivation in polycrystalline silicon solar cells'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

  • Citeer dit