Boride-enhanced diffusion in silicon: bulk and surface layers

N.E.B. Cowern, M.J.J. Theunissen, F. Roozeboom, J.G.M. Van Berkum

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

34 Citaten (Scopus)

Samenvatting

Epitaxial silicon bonde layers, located at the surface or within the bulk of single-crystal silicon, give rise to enhanced diffusion of B during annealing. A submonolayer buried boride layer releases ≈0.4 interstitials per B atom in the layer, generating a transient diffusion enhancement in the range of 10-100 for several minutes at 900 °C. The resulting profile broadening is comparable to that caused by ion implantation damage. At the same temperature, surface boride layers generate a diffusion enhancement of ∼6, part of which arises from the B diffusion flux and part from the chemical influence of the boride layer.

Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)181-183
Aantal pagina's3
TijdschriftApplied Physics Letters
Volume75
Nummer van het tijdschrift2
DOI's
StatusGepubliceerd - 12 jul 1999
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'Boride-enhanced diffusion in silicon: bulk and surface layers'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit