Atomic scale analysis of self assembled GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy

J.G. Keizer, J. Bocquel, P.M. Koenraad, T. Mano, T. Noda, K. Sakoda

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

56 Citaten (Scopus)
142 Downloads (Pure)

Samenvatting

In this letter we have performed a structural analysis at the atomic scale of GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy. The shape, composition, and strain of the quantum dots and the AlGaAs matrix are investigated. We show that the GaAs quantum dots have a Gaussian shape and that minor intermixing of Al with the GaAs quantum dot takes place. A wetting layer with a thickness of less than one bilayer was observed. © 2010 American Institute of Physics. U7 - Export Date: 2 August 2010 U7 - Source: Scopus U7 - Art. No.: 062101
Originele taal-2Engels
Artikelnummer062101
Pagina's (van-tot)062101-1/3
Aantal pagina's3
TijdschriftApplied Physics Letters
Volume96
Nummer van het tijdschrift6
DOI's
StatusGepubliceerd - 2010

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Atomic scale analysis of self assembled GaAs/AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit