An organic charge trapping memory transistor with bottom source and drain contacts

Maarten Debucquoy, Dieter Bode, Jan Genoe, Gerwin H. Gelinck, Paul Heremans

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

14 Citaten (Scopus)

Samenvatting

We present an organic charge trapping memory transistor with lithographically defined bottom source and drain contacts. This device can be written and erased at voltages as low as 15 V. More than 500 write and erase cycles and the retention of the trapped charge over more than three months are shown, demonstrating the possibilities of this device as a reprogramable nonvolatile organic memory element.

Originele taal-2Engels
Artikelnummer103311
Aantal pagina's3
TijdschriftApplied Physics Letters
Volume95
Nummer van het tijdschrift10
DOI's
StatusGepubliceerd - 18 sep 2009
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'An organic charge trapping memory transistor with bottom source and drain contacts'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit