An atomically resolved study of InGaAs quantum dot layers grown with an indium flush step

J.G. Keizer, E.C. Clark, M. Bichler, G. Abstreiter, J.J. Finley, P.M. Koenraad

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

15 Citaten (Scopus)
2 Downloads (Pure)

Samenvatting

In this cross-sectional scanning tunnelling microscopy study we investigate the indium flush method as a means to control the height of self-assembled InGaAs quantum dots and wetting layers. The results show that application of an indium flush step during growth results in flattened dots and a reduced wetting layer of which the height can be precisely controlled by varying the height of the first capping layer. © 2010 IOP Publishing Ltd. U7 - Export Date: 2 August 2010 U7 - Source: Scopus U7 - Art. No.: 215705
Originele taal-2Engels
Artikelnummer215705
Pagina's (van-tot)215705-1/4
Aantal pagina's4
TijdschriftNanotechnology
Volume21
Nummer van het tijdschrift21
DOI's
StatusGepubliceerd - 2010

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'An atomically resolved study of InGaAs quantum dot layers grown with an indium flush step'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit