All-polymer ferroelectric transistors

G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. De Leeuw, R.C.G. Naber, P.W.M. Blom

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

116 Citaten (Scopus)

Samenvatting

We demonstrate thin-film ferroelectric transistors, made entirely from organic materials that are processed from solution. The devices consist of thin ferroelectric poly(vinylidene fluoride/trifluoroethylene) films sandwiched between electrodes made of conducting poly(3,4-ethylenedioxythiophene) stabilized with polystyrene-4-sulphonic acid. On top of this stack, an organic semiconductor is applied. The ferroelectric transistors, constructed using unipolar p - or n -type semiconductor channels, have remnant current modulations of ∼ 103 with a retention time of hours. They can be switched in 0.1-1 ms at operating voltages less than 10 V.

Originele taal-2Engels
Artikelnummer092903
Aantal pagina's3
TijdschriftApplied Physics Letters
Volume87
Nummer van het tijdschrift9
DOI's
StatusGepubliceerd - 29 aug 2005
Extern gepubliceerdJa

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van 'All-polymer ferroelectric transistors'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit