Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 6 : new materials, processes and equipment

E.P. Gusev (Redacteur), H. Iwai (Redacteur), D.-L. Kwong (Redacteur), M. Öztürk (Redacteur), F. Roozeboom (Redacteur), P.J. Timans (Redacteur), V. Narayanan (Redacteur)

Onderzoeksoutput: Boek/rapportBoekredactieAcademic

Samenvatting

These proceedings describe processing, materials and equipment for CMOS front-end integration including gate stack, source/drain and channel engineering. Topics: strained Si/SiGe and Si/SiGe on insulator; high-mobility channels including III-Vzs, etc.; nanowires and carbon nanotubes; high-k dielectrics, metal and FUSI gate electrodes; doping/annealing for ultra-shallow junctions; low-resistivity contacts; advanced deposition (e.g. ALD, CVD, MBE), RTP, UV, plasma and laser-assisted processes.
Originele taal-2Engels
Plaats van productiePennington, N.J.
UitgeverijElectrochemical Society
Aantal pagina's412
ISBN van geprinte versie978-1-56677-791-9, 978-1-60768-141-0
StatusGepubliceerd - 2010

Publicatie series

NaamECS transactions
Nr.1
Volume28
ISSN van geprinte versie1938-5862
ISSN van elektronische versie1938-6737

Bibliografische nota

Vancouver, Canada, April 26-27, 2010, held as a part of the 217th meeting of the Electrochemical Society (ECS)

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS 6 : new materials, processes and equipment'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit