Accurate drain conductance modeling for distortion analysis in MOSFETs

R. Langevelde, van, F.M. Klaassen

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

36 Citaten (Scopus)
Originele taal-2Engels
TitelTechnical Digest IEDM 1997
Pagina's313-316
StatusGepubliceerd - 1997
Evenement1997 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 1997) - Washington, D.C., Verenigde Staten van Amerika
Duur: 7 dec 199710 dec 1997

Congres

Congres1997 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 1997)
Verkorte titelIEDM 1997
Land/RegioVerenigde Staten van Amerika
StadWashington, D.C.
Periode7/12/9710/12/97
AnderTechnical Digest IEDM 1997, Washington, DC, 7-10 December 1997

Citeer dit