A 96 % efficient high-frequency DC-DC converter using E-mode GaN DHFETs on Si

J. Das; J. Everts; J. Van den Keybus; M. Van Hove; D. Visalli; P. Srivastava; D. Marcon; K. Cheng; M. Leys; S. Decoutere; Johan Driesen; G. Borghs

doi:10.1109/LED.2011.2162393

A 96 % efficient high-frequency DC-DC converter using E-mode GaN DHFETs on Si

J. Das, J. Everts, J. Van den Keybus, M. Van Hove, D. Visalli, P. Srivastava, D. Marcon, K. Cheng, M. Leys, S. Decoutere, Johan Driesen, G. Borghs

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschrift › Tijdschriftartikel › Academic › peer review

52 Citaten (Scopus)

592 Downloads (Pure)

Originele taal-2	Engels
Pagina's (van-tot)	1370-1372
Aantal pagina's	2
Tijdschrift	IEEE Electron Device Letters
Volume	32
Nummer van het tijdschrift	10
DOI's	https://doi.org/10.1109/LED.2011.2162393
Status	Gepubliceerd - 2011

Toegang tot document

10.1109/LED.2011.2162393

publishers versionDefinitieve gepubliceerde versie, 140 KB

Citeer dit

@article{638f4209aa0b4e2aaeddb26f9949872a,

title = "A 96 % efficient high-frequency DC-DC converter using E-mode GaN DHFETs on Si",

author = "J. Das and J. Everts and {Van den Keybus}, J. and {Van Hove}, M. and D. Visalli and P. Srivastava and D. Marcon and K. Cheng and M. Leys and S. Decoutere and Johan Driesen and G. Borghs",

year = "2011",

doi = "10.1109/LED.2011.2162393",

language = "English",

volume = "32",

pages = "1370--1372",

journal = "IEEE Electron Device Letters",

issn = "0741-3106",

publisher = "Institute of Electrical and Electronics Engineers",

number = "10",

}

TY - JOUR

T1 - A 96 % efficient high-frequency DC-DC converter using E-mode GaN DHFETs on Si

AU - Das, J.

AU - Everts, J.

AU - Van den Keybus, J.

AU - Van Hove, M.

AU - Visalli, D.

AU - Srivastava, P.

AU - Marcon, D.

AU - Cheng, K.

AU - Leys, M.

AU - Decoutere, S.

AU - Driesen, Johan

AU - Borghs, G.

PY - 2011

Y1 - 2011

U2 - 10.1109/LED.2011.2162393

DO - 10.1109/LED.2011.2162393

M3 - Article

SN - 0741-3106

VL - 32

SP - 1370

EP - 1372

JO - IEEE Electron Device Letters

JF - IEEE Electron Device Letters

IS - 10

ER -