A 65nm CMOS pulse-width-controlled driver with 8V pp output voltage for switch-mode RF PAs up to 3.6GHz

D.A. Calvillo-Cortes, M. Acar, M.P. Heijden, van der, M. Apostolidou, L.C.N. Vreede, de, D.M.W. Leenaerts

Onderzoeksoutput: Hoofdstuk in Boek/Rapport/CongresprocedureConferentiebijdrageAcademicpeer review

21 Citaten (Scopus)

Samenvatting

This work presented the first broadband PWM-controlled RF SMPA driver reaching 8.04Vpp up to 3.6GHz using a 1.2V baseline 65nm CMOS technology. The CMOS driver can serve as a key building block for next-generation reconfigurable multiband multimode transmitters for wireless infrastructure systems, interfacing digital CMOS circuitry with high-power transistors.
Originele taal-2Engels
TitelProceedings of the 2011 IEEE International Solid State Circuits Conference (ISSCC), 20-24 february 2011, San Francisco, California
Plaats van productiePiscataway
UitgeverijInstitute of Electrical and Electronics Engineers
Pagina's58-60
ISBN van geprinte versie978-1-61284-303-2
DOI's
StatusGepubliceerd - 2011
Evenement58th IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2011) - San Francisco, CA, Verenigde Staten van Amerika
Duur: 20 feb 201124 feb 2011
Congresnummer: 58

Congres

Congres58th IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC 2011)
Verkorte titelISSCC 2011
LandVerenigde Staten van Amerika
StadSan Francisco, CA
Periode20/02/1124/02/11
AnderSolid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC) 2011 IEEE International

Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van 'A 65nm CMOS pulse-width-controlled driver with 8V pp output voltage for switch-mode RF PAs up to 3.6GHz'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit