1/f noise at room temperature in n-type gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy

L. Ren, M.R. Leijs

    Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

    27 Citaten (Scopus)
    1 Downloads (Pure)

    Samenvatting

    The 1/f noise in n-GaAs epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy was investigated at room temperature for various doping concentrations. The measured 1/f noise is a bulk effect. The noise parameter a between 10-4 and 10-3 was found to be dependent on the doping concentration.
    Originele taal-2Engels
    Pagina's (van-tot)319-323
    Aantal pagina's5
    TijdschriftPhysica B: Condensed Matter
    Volume172
    Nummer van het tijdschrift3
    DOI's
    StatusGepubliceerd - 1991

    Vingerafdruk Duik in de onderzoeksthema's van '1/f noise at room temperature in n-type gallium arsenide grown by molecular beam epitaxy'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

  • Citeer dit