1.43 µm InAs bilayer quantum dot lasers on GaAs substrate

L. Li, M. Rossetti, A. Fiore, G. Patriarche

Onderzoeksoutput: Bijdrage aan tijdschriftTijdschriftartikelAcademicpeer review

21 Citaten (Scopus)

Samenvatting

An edge emitting quantum dot (QD) laser at 1430 nm is demonstrated with a structure grown by mol. beam epitaxy on GaAs substrate. The active region is based on three InAs bilayer QDs embedded in a conventional AlGaAs/GaAs waveguide. The threshold c.d. is 134 A/cm2. Output power of 23 mW per facet is achieved. [on SciFinder (R)]
Originele taal-2Engels
Pagina's (van-tot)638-639
TijdschriftElectronics Letters
Volume42
Nummer van het tijdschrift11
DOI's
StatusGepubliceerd - 2006

Vingerafdruk

Duik in de onderzoeksthema's van '1.43 µm InAs bilayer quantum dot lasers on GaAs substrate'. Samen vormen ze een unieke vingerafdruk.

Citeer dit